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图6.Ba2BiTaO6/NbSTOp-n异质结I-V曲线.Ba2BiTaO6/NbSTOp-n异质结在室温下的半对数电流电压特性，广州供电公示插图为相应的线性I-V曲线，并给出了设备测量的原理图。结合光吸收结果，批次结合XPS、XAS和DFT计算的实验带边结构，给出了准确测定Ba2BiMO6电子结构和带隙值的方法。

高迁移率归因于VB边缘的高色散性，主网这是Bi6s与VB顶部的O2p的强耦合造成的，导致了较低的空穴有效质量(0.4-0.7me)。引言氧化物半导体作为现代光电子技术的关键材料，通讯被广泛应用于平板显示器、太阳能电池、发光二极管和透明电子等领域。实际上，设备Bhatia等人报道了Ba2BiTaO6具有4.5eV的超宽禁带，K+掺杂的Ba2BiTaO6多晶球显示出高达30cm2V−1s−1的大空穴迁移率。

利用HAXPES实验，次中在三个Ba2BiMO6的VBM中都观察到了Bi3+6s2的存在。标候脉冲激光沉积用于生长高质量外延薄膜。

Bi3+产生的Bi6s2孤对态与O2p杂化形成VB的顶部，选人具有提供高p型迁移率的势，而Bi5+产生的空Bi6s0则形成CB的底部。

由p型Ba2BiTaO6和n型Nb掺杂SrTiO3构成的P-N结二极管在±3V时具有1.3×104的高整流率，南网4年具有制备高质量器件的巨大潜力。对我们人来说，广州供电公示十分困难，但狗狗轻而易举喔。

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